IXFN60N60
制造商: | IXYS |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | IXFN60N60 |
描述: | MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | IXYS |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | HiPerFET™ |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tube |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Chassis Mount |
包/箱 | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 75mOhm @ 500mA, 10V |
功耗(Max) | 700W (Tc) |
供应商设备包 | SOT-227B |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 380nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |