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IXFN82N60Q3

制造商:	IXYS
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IXFN82N60Q3
描述:	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	IXYS
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HiPerFET™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Chassis Mount
包/箱	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 8mA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	75mOhm @ 41A, 10V
功耗(Max)	960W (Tc)
供应商设备包	SOT-227B
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	275nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	13500pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	66A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V