IXSQ20N60B2D1
制造商: | IXYS |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | IXSQ20N60B2D1 |
描述: | IGBT 600V 35A 190W TO3P |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | IXYS |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | PT |
包装 | Bulk |
输入类型 | Standard |
门负责 | 33nC |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 190W |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-3P-3, SC-65-3 |
测试条件 | - |
基础零件号 | IXS*20N60 |
交换能量 | 380µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 30ns/116ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | TO-3P |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
反向恢复时间(trr) | 30ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 35A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 61 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1