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IXSQ20N60B2D1

制造商: IXYS
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: IXSQ20N60B2D1
描述: IGBT 600V 35A 190W TO3P
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 IXYS
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 PT
包装 Bulk
输入类型 Standard
门负责 33nC
部分状态 Obsolete
权力——马克思 190W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3P-3, SC-65-3
测试条件 -
基础零件号 IXS*20N60
交换能量 380µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 30ns/116ns
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A
反向恢复时间(trr) 30ns
电流-集电极(Ic) (Max) 35A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 61 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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