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IXTA1R4N120P

制造商: IXYS
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IXTA1R4N120P
描述: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 IXYS
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 Polar™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V
功耗(Max) 86W (Tc)
供应商设备包 TO-263 (IXTA)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 24.8nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 1200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 666pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

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参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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