图片仅供参考,请参阅产品说明书

MII200-12A4

制造商: IXYS
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: MII200-12A4
描述: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 IXYS
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 NPT
部分状态 Active
权力——马克思 1130W
配置 Half Bridge
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Y3-DCB
基础零件号 MII
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 Y3-DCB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A
电流-集电极(Ic) (Max) 270A
输入电容(Cies) @ Vce 11nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 10mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 53 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$110.25 $108.05 $105.88
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

MUBW50-12T8
IXYS
$109.98
FF150R17ME3GBOSA1
Infineon Technologies
$109.3
FS75R12KE3B9BOSA1
Infineon Technologies
$109.27
MWI75-12T7T
IXYS
$108.58
GSID150A120S6A4
Global Power Technologies Group
$108.51