AIHD06N60RFATMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | AIHD06N60RFATMA1 |
描述: | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
包装 | Tape & Reel (TR) |
输入类型 | Standard |
门负责 | 48nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 100W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
测试条件 | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
交换能量 | 90µJ (on), 90µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 8ns/105ns |
工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
供应商设备包 | PG-TO252-3-313 |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 12A |
集电极脉冲电流(Icm) | 18A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 55 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.74 | $0.73 | $0.71 |
最低数量: 1