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AIHD10N60RFATMA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | AIHD10N60RFATMA1 |
| 描述: | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 64nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 150W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 测试条件 | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| 交换能量 | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| Td(开/关)@ 25°C | 12ns/168ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | PG-TO252-3-313 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 20A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 72 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.92 | $0.90 | $0.88 |
最低数量: 1
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