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BCR112WE6327BTSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	BCR112WE6327BTSA1
描述:	TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Obsolete
权力——马克思	250mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SC-70, SOT-323
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
基础零件号	BCR112
电阻-基极(R1)	4.7 kOhms
频率-过渡	140MHz
供应商设备包	PG-SOT323-3
电阻-发射极基(R2)	4.7 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 5mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V