BCR22PNE6327BTSA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
说明书: | BCR22PNE6327BTSA1 |
描述: | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 250mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
基础零件号 | BCR22PN |
电阻-基极(R1) | 22kOhms |
频率-过渡 | 130MHz |
供应商设备包 | PG-SOT363-6 |
电阻-发射极基(R2) | 22kOhms |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
电流-集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 50 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1