图片仅供参考，请参阅产品说明书

BSB012N03LX3 G

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	BSB012N03LX3 G
描述:	MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.2mOhm @ 30A, 10V
功耗(Max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
供应商设备包	MG-WDSON-2, CanPAK M™
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	169nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	39A (Ta), 180A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V