图片仅供参考，请参阅产品说明书

BSC106N025S G

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	BSC106N025S G
描述:	MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	10.6mOhm @ 30A, 10V
功耗(Max)	2.8W (Ta), 43W (Tc)
供应商设备包	PG-TDSON-8-1
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	11nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	13A (Ta), 30A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V