图片仅供参考,请参阅产品说明书

BSC123N08NS3GATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: BSC123N08NS3GATMA1
描述: MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 OptiMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 12.3mOhm @ 33A, 10V
功耗(Max) 2.5W (Ta), 66W (Tc)
供应商设备包 PG-TDSON-8-1
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 25nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 11A (Ta), 55A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 6V, 10V

现货库存 137048 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IRF7425TRPBF
Infineon Technologies
$1.21
STB16NF06LT4
STMicroelectronics
$0
FDS4141
ON Semiconductor
$0
SI7465DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$1.29
PSMN1R0-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
$0