Image is for reference only , details as Specifications

BSG0810NDIATMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	BSG0810NDIATMA1
描述:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
包装	Tape & Reel (TR)
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate, 4.5V Drive
部分状态	Active
权力——马克思	2.5W
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
供应商设备包	PG-TISON-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	8.4nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	19A, 39A