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BSM50GB120DN2HOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: BSM50GB120DN2HOSA1
描述: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 -
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 400W
配置 Half Bridge
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Module
工作温度 150°C (TJ)
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
电流-集电极(Ic) (Max) 78A
输入电容(Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 68 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$71.76 $70.32 $68.92
最低数量: 1

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