BSM50GD170DLBOSA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
说明书: | BSM50GD170DLBOSA1 |
描述: | IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
输入 | Standard |
系列 | - |
IGBT类型 | - |
部分状态 | Last Time Buy |
权力——马克思 | 480W |
配置 | Full Bridge |
安装方式 | Chassis Mount |
NTC热敏电阻 | No |
包/箱 | Module |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
供应商设备包 | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 50A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100A |
输入电容(Cies) @ Vce | 3.5nF @ 25V |
电流-集电极截止(最大) | 100µA |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1700V |
现货库存 82 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$165.68 | $162.37 | $159.12 |
最低数量: 1