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BSM75GAR120DN2HOSA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 说明书: | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
| 描述: | IGBT 2 MED POWER 34MM-1 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 部分状态 | Not For New Designs |
| 权力——马克思 | 235W |
| 配置 | Single |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 30A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 400µA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 66 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $74.79 | $73.29 | $71.83 |
最低数量: 1
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