BSO615CGHUMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | BSO615CGHUMA1 |
描述: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | SIPMOS® |
场效应晶体管类型 | N and P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 2W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
基础零件号 | BSO615 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V |
供应商设备包 | PG-DSO-8 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 22.5nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 3.1A, 2A |
现货库存 6274 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1