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BSP149H6327XTSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	BSP149H6327XTSA1
描述:	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	SIPMOS®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	Depletion Mode
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 400µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
功耗(Max)	1.8W (Ta)
供应商设备包	PG-SOT223-4
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	14nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	660mA (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	0V, 10V