图片仅供参考,请参阅产品说明书

BSP300H6327XUSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: BSP300H6327XUSA1
描述: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 SIPMOS®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Not For New Designs
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 20Ohm @ 190mA, 10V
功耗(Max) 1.8W (Ta)
供应商设备包 PG-SOT223-4
漏源极电压(Vdss) 800V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 190mA (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 2968 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FDMS7670AS
ON Semiconductor
$0
NTTFS5C670NLTAG
ON Semiconductor
$0
BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0
BUK7Y6R0-60EX
Nexperia USA Inc.
$0
BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.
$0