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BSZ086P03NS3EGATMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	BSZ086P03NS3EGATMA1
描述:	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vg (Max)	±25V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	8.6mOhm @ 20A, 10V
功耗(Max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
供应商设备包	PG-TSDSON-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	57.5nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	6V, 10V