图片仅供参考，请参阅产品说明书

BSZ0910NDXTMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	BSZ0910NDXTMA1
描述:	DIFFERENTIATED MOSFETS
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate, 4.5V Drive
部分状态	Active
权力——马克思	1.9W (Ta), 31W (Tc)
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	9.5mOhm @ 9A, 10V
供应商设备包	PG-WISON-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	5.6nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 25A (Tc)