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BSZ120P03NS3EGATMA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vg (Max) | ±25V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Last Time Buy |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 73µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 10V |
| 功耗(Max) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
| 供应商设备包 | PG-TSDSON-8 |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 45nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 3360pF @ 15V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 6V, 10V |
现货库存 55 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.24 | $0.24 | $0.23 |
最低数量: 1
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