DF11MR12W1M1B11BOMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
描述: | MOSFET MODULE 1200V 50A |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | CoolSiC™+ |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Tray |
场效应晶体管的特性 | Silicon Carbide (SiC) |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 20mW |
安装方式 | Chassis Mount |
包/箱 | Module |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
供应商设备包 | Module |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 125nC @ 5V |
漏源极电压(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 50A |
现货库存 21 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$127.96 | $125.40 | $122.89 |
最低数量: 1