图片仅供参考，请参阅产品说明书
DF200R12KE3HOSA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 说明书: | DF200R12KE3HOSA1 |
| 描述: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | - |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1040W |
| 配置 | Single |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | No |
| 包/箱 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 供应商设备包 | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 5mA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 98 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $92.29 | $90.44 | $88.64 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要