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DF200R12W1H3FB11BOMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: DF200R12W1H3FB11BOMA1
描述: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 EasyPACK™
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 20mW
配置 Three Phase Inverter
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
电流-集电极(Ic) (Max) 30A
输入电容(Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 86 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$73.56 $72.09 $70.65
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