FD650R17IE4BOSA2
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
说明书: | FD650R17IE4BOSA2 |
描述: | MODULE IGBT PRIME2-1 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
输入 | Standard |
系列 | PrimePack™2 |
IGBT类型 | - |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 4150W |
配置 | Single |
安装方式 | Chassis Mount |
NTC热敏电阻 | Yes |
包/箱 | Module |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
供应商设备包 | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 930A |
输入电容(Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
电流-集电极截止(最大) | 5mA |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1700V |
现货库存 70 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$385.34 | $377.63 | $370.08 |
最低数量: 1