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FF11MR12W1M1B11BOMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	FF11MR12W1M1B11BOMA1
描述:	MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	CoolSiC™+
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual)
包装	Tray
场效应晶体管的特性	Silicon Carbide (SiC)
部分状态	Active
权力——马克思	-
安装方式	Chassis Mount
包/箱	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	5.55V @ 40mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 15V
供应商设备包	Module
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	250nC @ 15V
漏源极电压(Vdss)	1200V (1.2kV)
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	7950pF @ 800V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	100A