FF150R12RT4HOSA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
说明书: | FF150R12RT4HOSA1 |
描述: | IGBT MODULE 1200V 150A |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
输入 | Standard |
系列 | C |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 790W |
配置 | Half Bridge |
安装方式 | Surface Mount |
NTC热敏电阻 | No |
包/箱 | Module |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
供应商设备包 | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
电流-集电极(Ic) (Max) | 150A |
电流-集电极截止(最大) | 1mA |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 18 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$62.51 | $61.26 | $60.03 |
最低数量: 1