图片仅供参考,请参阅产品说明书

FF200R12KE3HOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: FF200R12KE3HOSA1
描述: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 -
部分状态 Active
权力——马克思 1050W
配置 2 Independent
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 125°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
输入电容(Cies) @ Vce 14nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 5mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 67 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$103.69 $101.62 $99.58
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
$103.49
MDI200-12A4
IXYS
$103.2
FS75R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$103.12
FP40R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
$103.12
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
$103.12