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FF225R17ME4B11BOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: FF225R17ME4B11BOSA1
描述: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 1500W
配置 2 Independent
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
电流-集电极(Ic) (Max) 340A
输入电容(Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 3mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1700V

现货库存 59 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$144.58 $141.69 $138.85
最低数量: 1

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