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FP35R12W2T4B11BOMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: FP35R12W2T4B11BOMA1
描述: IGBT MODULE 1200V 35A
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 215W
配置 Three Phase Inverter
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
电流-集电极(Ic) (Max) 54A
输入电容(Cies) @ Vce 2nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 26 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$50.57 $49.56 $48.57
最低数量: 1

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