Image is for reference only , details as Specifications

FP50R12KT4B11BOSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: FP50R12KT4B11BOSA1
描述: IGBT MODULE 1200V 50A
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 *
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 280W
配置 Three Phase Inverter
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 Yes
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
电流-集电极(Ic) (Max) 50A
输入电容(Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 29 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$101.69 $99.66 $97.66
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
$87.89
VS-GB90DA120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$87.59
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
$78.29
VS-CPV364M4FPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$42.89
IXYN82N120C3H1
IXYS
$36.67