Image is for reference only , details as Specifications

FZ1200R33HE3BPSA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: FZ1200R33HE3BPSA1
描述: MODULE IGBT IHVB190-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 13000W
配置 Full Bridge
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 1200A
电流-集电极(Ic) (Max) 1200A
输入电容(Cies) @ Vce 210nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 5mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 3300V

现货库存 57 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,664.28 $1,630.99 $1,598.37
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FZ3600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
$1641.76
MIO1200-33E10
IXYS
$1633.91
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
$1588.86
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon Technologies
$1554.13
FZ1000R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
$1554.13