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FZ1800R12HE4B9HOSA2

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Modules
说明书: FZ1800R12HE4B9HOSA2
描述: MODULE IGBT IHMB190-2
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Modules
输入 Standard
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
部分状态 Active
权力——马克思 11000W
配置 Single Switch
安装方式 Chassis Mount
NTC热敏电阻 No
包/箱 Module
工作温度 -40°C ~ 150°C
供应商设备包 Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1800A
电流-集电极(Ic) (Max) 2735A
输入电容(Cies) @ Vce 110nF @ 25V
电流-集电极截止(最大) 5mA
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 82 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$853.85 $836.77 $820.04
最低数量: 1

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