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IGO60R070D1AUMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IGO60R070D1AUMA1
描述:	IC GAN FET 600V 60A 20DSO
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	CoolGaN™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	-10V
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	-
功耗(Max)	125W (Tc)
供应商设备包	PG-DSO-20-85
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	31A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	-