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IKB03N120H2ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: IKB03N120H2ATMA1
描述: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 -
包装 Tape & Reel (TR)
输入类型 Standard
门负责 22nC
部分状态 Not For New Designs
权力——马克思 62.5W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 800V, 3A, 82Ohm, 15V
交换能量 290µJ
Td(开/关)@ 25°C 9.2ns/281ns
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
反向恢复时间(trr) 42ns
电流-集电极(Ic) (Max) 9.6A
集电极脉冲电流(Icm) 9.9A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 81 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.27 $1.24 $1.22
最低数量: 1

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