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IKD06N60RFATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: IKD06N60RFATMA1
描述: IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 TrenchStop®
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 48nC
部分状态 Active
权力——马克思 100W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 400V, 6A, 23Ohm, 15V
基础零件号 *KD06N60
交换能量 90µJ (on), 90µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 7ns/106ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 PG-TO252-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A
反向恢复时间(trr) 48ns
电流-集电极(Ic) (Max) 12A
集电极脉冲电流(Icm) 18A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 3150 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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