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IKD10N60RFATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: IKD10N60RFATMA1
描述: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 TrenchStop®
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 64nC
部分状态 Active
权力——马克思 150W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 400V, 10A, 26Ohm, 15V
基础零件号 *KD10N60
交换能量 190µJ (on), 160µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 12ns/168ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 PG-TO252-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A
反向恢复时间(trr) 72ns
电流-集电极(Ic) (Max) 20A
集电极脉冲电流(Icm) 30A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 2053 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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