IKD10N60RFATMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | IKD10N60RFATMA1 |
描述: | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | TrenchStop® |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
包装 | Digi-Reel® |
输入类型 | Standard |
门负责 | 64nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 150W |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
测试条件 | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
基础零件号 | *KD10N60 |
交换能量 | 190µJ (on), 160µJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 12ns/168ns |
工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
供应商设备包 | PG-TO252-3 |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
反向恢复时间(trr) | 72ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 20A |
集电极脉冲电流(Icm) | 30A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 600V |
现货库存 2053 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1