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IMW120R045M1XKSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IMW120R045M1XKSA1
描述:	COOLSIC MOSFETS 1200V
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	CoolSiC™
场效应晶体管类型	N-Channel
vg (Max)	+20V, -10V
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 10mA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	59mOhm @ 20A, 15V
功耗(Max)	228W (Tc)
供应商设备包	PG-TO247-3-41
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	52nC @ 15V
漏源极电压(Vdss)	1.2kV
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1.9nF @ 800V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	52A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	15V