图片仅供参考，请参阅产品说明书
IMZ120R060M1HXKSA1
| 制造商: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| 描述: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | CoolSiC™ |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| vg (Max) | +23V, -7V |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| 功耗(Max) | 150W (Tc) |
| 供应商设备包 | PG-TO247-4-1 |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 31nC @ 18V |
| 漏源极电压(Vdss) | 1.2kV |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1.06nF @ 800V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 15V, 18V |
现货库存 60 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $20.43 | $20.02 | $19.62 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
