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IPAN65R650CEXKSA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPAN65R650CEXKSA1
描述:	MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	CoolMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	Super Junction
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
功耗(Max)	28W (Tc)
供应商设备包	PG-TO220 Full Pack
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	23nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	10.1A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V