IPB029N06N3GE8187ATMA1
制造商: | Infineon Technologies |
---|---|
产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
描述: | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | OptiMOS™ |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
功耗(Max) | 188W (Tc) |
供应商设备包 | D²PAK (TO-263AB) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 165nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
现货库存 80 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.97 | $0.95 | $0.93 |
最低数量: 1