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IPB029N06N3GE8187ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPB029N06N3GE8187ATMA1
描述: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 OptiMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 118µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 3.2mOhm @ 100A, 10V
功耗(Max) 188W (Tc)
供应商设备包 D²PAK (TO-263AB)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 165nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 120A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 80 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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