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IPB35N10S3L26ATMA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPB35N10S3L26ATMA1
描述:	MOSFET N-CH TO263-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	26.3mOhm @ 35A, 10V
功耗(Max)	71W (Tc)
供应商设备包	D²PAK (TO-263AB)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	39nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	35A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V