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IPB60R099C7ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPB60R099C7ATMA1
描述: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™ C7
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 99mOhm @ 9.7A, 10V
功耗(Max) 110W (Tc)
供应商设备包 PG-TO263-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 42nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1819pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 22A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 890 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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