图片仅供参考,请参阅产品说明书

IPB60R199CPAATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPB60R199CPAATMA1
描述: MOSFET N-CH TO263-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Not For New Designs
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 199mOhm @ 9.9A, 10V
功耗(Max) 139W (Tc)
供应商设备包 D²PAK (TO-263AB)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 43nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 16A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 55 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.98 $1.94 $1.90
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FDP8870
ON Semiconductor
$1.98
AUIRF1404
Infineon Technologies
$2.01
AUIRFS8407-7TRL
Infineon Technologies
$2.01
NTB150N65S3HF
ON Semiconductor
$2.01
IXTY02N50D-TRL
IXYS
$2.08