Image is for reference only , details as Specifications

IPC302N20N3X1SA1

制造商:	Infineon Technologies
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IPC302N20N3X1SA1
描述:	MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Infineon Technologies
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	OptiMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Bulk
vg (Max)	-
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 260µA
工作温度	-
Rds(最大)@ Id, Vgs	100mOhm @ 2A, 10V
功耗(Max)	-
供应商设备包	Sawn on foil
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	1A (Tj)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V