图片仅供参考,请参阅产品说明书

IPD350N06LGBTMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPD350N06LGBTMA1
描述: MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 OptiMOS™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 28µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V
功耗(Max) 68W (Tc)
供应商设备包 PG-TO252-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 13nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 29A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 5930 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies
$0
BSP129H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
TPN11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SQS484ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
$0