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IPD50R650CEATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPD50R650CEATMA1
描述: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™ CE
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
功耗(Max) 69W (Tc)
供应商设备包 PG-TO252-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 342pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 6.1A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 13V

现货库存 68 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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