IPD60N10S4L12ATMA1
制造商: | Infineon Technologies |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | IPD60N10S4L12ATMA1 |
描述: | MOSFET N-CH TO252-3 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Infineon Technologies |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vg (Max) | ±16V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
功耗(Max) | 94W (Tc) |
供应商设备包 | PG-TO252-3-313 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 49nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 3170pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V, 10V |
现货库存 41995 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1