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IPD60N10S4L12ATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPD60N10S4L12ATMA1
描述: MOSFET N-CH TO252-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±16V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 46µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V
功耗(Max) 94W (Tc)
供应商设备包 PG-TO252-3-313
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 49nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3170pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 60A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 41995 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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