图片仅供参考,请参阅产品说明书

IPD60R1K0CEATMA1

制造商: Infineon Technologies
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: IPD60R1K0CEATMA1
描述: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Infineon Technologies
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 CoolMOS™ CE
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
功耗(Max) 37W (Tc)
供应商设备包 TO-252-3
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 13nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 53 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IPU60R2K1CEBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU60R1K5CEBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU60R1K0CEBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPS65R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
$0